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台積電持續精進製程，自107年起導入乾式極紫外光（EUV）光罩潔淨技術，解決無保護膜EUV光罩的落塵問題，今年成功使落塵削減率超過99%，累計創造新台幣20億元改善效益。
台積電的EUV微影製程光罩技術，是推動5奈米製程的關鍵技術，而依製程需求，EUV微影製程光罩分為有保護膜及無保護膜兩種，台積電選用無保護膜的EUV光罩，提高透光性，減少EUV微影製程曝光光能損耗。
但是無保護膜EUV光罩會發生落塵問題，台積電品質暨可靠性組織攜手技術發展、營運組織，自107年起共同開發落塵分析技術，並研發出乾式EUV光罩潔淨技術。
這項技術可透過乾式技術快速去除落塵，取代需要使用純水與化學品的溼式清潔手法；同時以次奈米級分析技術精準定位落塵來源，從根本排除汙染源。
據統計至109年，台積電成功使落塵削減率超過99%。由於該項技術的導入，大幅縮短光罩保修頻率與時間，使光罩使用率躍升超過80%，並延長先進製程EUV光罩壽命，累計創造的改善效益達20億元。
