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為在半導體製程上有所突破，台灣半導體研究中心（TSRI）與日本產業技術總合研究所（AIST）展開合作，開發新型電晶體結構、減少元件的面積，日本媒體分析，有助製造2奈米以下的新一代半導體，預計應用在2024年後的先進半導體製程之上。
這項關於半導體製程的合作案，是在去年12月下旬所公布。兩單位將共同開發低溫晶片鍵合技術，該技術可有效減少元件的面積，有助於半導體製程的突破。
關於臺日半導體的合作，《日本經濟新聞》中文網撰文報導，指出兩單位在2018年起即展開合作，日方提供擅長的材料開發知識，和堆疊異種材料等技術，而臺方則是提供試製技術，以及異質材料堆疊電晶體的設計等協助。
報導指出，與過去的電晶體相比，新的結構的電晶體性能高、面積小，有助製造2奈米以下線寬的新一代半導體；此次開發的新型電晶體，預計應用在2024年以後的先進半導體。
日本產業技術總合研究所表示，這項技術是全球獨步的，目前規劃在未來3年內，向民間企業轉讓技術，實現商用化。
報導也指出，臺灣與日本的半導體合作往來不僅於此，臺灣的晶圓代工龍頭台積電也在日本進行先進製程的布局，台積電日前公告赴日本投資定案，將在日本投資設立100%持股子公司，實收資本額不超過186億日圓，約1.86億美元，擴展三維晶片（3DIC）材料研究，預計今年完成。
而關於台積電的製程突破進度，3奈米預計在今年試產，預計2022年下半年量產；台積電規劃3奈米採用鰭式場效電晶體（FinFET）架構，而2奈米之後轉向環繞閘極（GAA）架構。
另外，台灣半導體研究中心積極針對半導體的應用，與其他國家進行合作，除與加拿大多倫多大學合作車用設計研發，同時與日本及澳洲研究單位合作，投入前瞻的量子電腦相關研發。◇
