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第三類（次世代）半導體材料「碳化矽（SiC）」是國家重要戰略物資，但晶體生長技術門檻較高，而中山大學晶體研究中心已成功生長出直徑6吋的碳化矽晶體塊材，並於今年7月與業界簽訂5年5千萬元的技術移轉案，提升臺灣國際競爭力。
已發展數十年的「碳化矽」具備低耗損、高功率、低雜訊、散熱佳等不可取代的特性。中山大學晶體研究中心主任周明奇指出，碳化矽晶體是國家重要戰略物資，可多元應用於電動車、光電、衛星通訊、國防、生醫等領域，但晶體生長技術門檻高，長晶速度與穩定品質是關鍵，而該中心已成功生長出6吋導電型（n-type）4H碳化矽單晶體。
周明奇表示，團隊在研發過程中結合中鋼、中鋼碳素等國內企業的專業，不僅在石墨隔熱材料、坩堝（存放碳化矽原物料的容器）及晶體生長設備等領域助攻MIT產業升級，更於今年7月起技轉台灣應用晶體公司及其所屬集團，未來5年雙方將在6吋、8吋大尺寸的導電型及半絕緣型4H、6H碳化矽單晶等領域攜手合作。
中山大學晶體研究中心除了掌握第三類半導體材料碳化矽晶體的優勢外，周明奇也透露，將同步研發第四類半導體「氧化鎵（Ga2O3）」的單晶塊材；而在硬體方面，除了目前現有的2台6吋長晶爐，今年9月將再添購1台6吋、2台8吋的長晶爐。下個階段也有機會與化工專業領域的企業合作，著力於半導體產業鏈最上游的稀土原物料純化等。◇
