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隨著人工智慧（AI）、5G及智慧連網（AIoT）時代來臨，能夠快速處理大量資料的新世代記憶體將成為發展關鍵之一。工研院17日表示，與晶圓製造龍頭台積電合作，攜手開發出自旋軌道轉矩磁性記憶體（SOT-MRAM），不但技術領先國際，功耗更能降低百倍之多。
工研院電光所所長張世杰表示，工研院與台積電繼去年在全球半導體領域頂尖的「超大型積體技術及電路國際會議」共同發表論文後，今年更開發出兼具低功耗、1010奈秒（ns）高速工作等優點的SOT-MRAM單元，並結合電路設計完成記憶體內運算技術，讓運算效能有飛躍式的提升。
他說，不但跳脫MRAM以記憶體為主的應用情境，雙方將研發成果共同發表在IEDM 2023。SOT-MRAM在功耗方面，更只有STT-MRAM的百分之一，該技術未來可應用在高效能運算（HPC）、AI及車用晶片等。
工研院指出，這次藉由工研院與台積電雙方共同合作，強強聯手，發表重要研發成果，將引領產業加速躋身下世代記憶體技術領先群，維持臺灣半導體的國際競爭優勢。
工研院表示，在「智慧化致能技術」應用領域，也持續研究發展非揮發性記憶體創新技術，期望開拓新記憶體市場的新星，協助國內產業界，發展高價值的技術與產品。
