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隨著美中緊張關係升溫，美國政府擬進一步阻擋陸企取得美國技術。不過專家警告，中國科技廠雖然被美國封鎖「先進製程」（10奈米以下）晶片的取得管道，但下一代6G領域重要技術中企早已布局多年，且用到的次世代晶片僅「成熟製程」就可以，這就是中共彎道超車的布局之一。
美中科技戰自川普政府任內開打，至今持續多年仍不斷升溫，美方近期接連傳出計劃擴大圍堵中國，不僅將把半導體設備出口管制自原先的10奈米以下製程，擴大至14奈米以下；管制對象也從晶圓代工廠，擴及記憶體廠。
此外，美國還準備將電子設計自動化（EDA）軟體納入管制項目。由於EDA軟體是晶片設計的關鍵工具，一旦美國實施禁令，中國晶片設計產業勢必會遭受嚴重衝擊。
工研院產科國際所研究總監楊瑞臨坦言，美中半導體的攻防，牽動整個國際局勢的轉變，也將對整條產業鏈造成衝擊，從稀土原料、材料、設備、關鍵零組件，一直到製造、設計、封裝、測試，再到使用者手裡的資通訊科技（ICT）產品，未來都會面臨地緣政治的影響。
他表示，目前美中半導體的攻防仍然聚焦在亞洲地區，而歐洲地區除了荷蘭的EUV（極紫外光曝光機）大廠艾司摩爾（ASML）之外，其他國家都還沒被拉進戰場，這也是美國管制中國半導體的破口，所以美中未來勢必還會有更多攻防。
他進一步表示，美國不只管制EUV極紫外光機，現在包括市占率逾5成的蝕刻設備龍頭科林研發（Lam Research）、市占率也逾5成的檢測設備龍頭科磊（KLA），若要銷售到中國都要經過審查程序，未來甚至美系IC設計工具業者對中國出口都要受到管制。
不僅如此，美國商務部工業和安全局（BIS）8月12日公告，將四項「新興和基礎技術」納入新的出口管制。分別是包含可承受高溫電壓的第四代半導體材料氧化鎵（Ga2O3）和金剛石，以及開發驗證3奈米以下GAAFET（全柵場效應晶體管）架構的電子設計自動化軟體（EDA），還有火箭、高超音速系統的增壓燃燒技術（PGC）。
GAAFET結構集成電路的EDA軟體，主要用於設計、分析、優化和驗證集體電路或印刷電路板的性能。作為FinFET的繼任者，GAAFET被視為量產3nm及以下工藝製程的關鍵技術。
楊瑞臨表示，臺積電3奈米仍用FinFET架構，2奈米才會跨進GAA架構，而中國現在只能做到7奈米，所以美國的超前管制，明顯不只是針對中共。他說，由於過去10、20年以來，歐洲許多企業對中態度友善，只要中共肯出大錢就賣，所以美國此舉也是提醒其他盟國，必須即早做出因應。
美國8月9日時通過「晶片法案」，要求接受補助的廠商，未來10年不得前往中國擴大生產比28奈米製程先進的晶片，而且相關管制，也適用於外商在中國建置的半導體廠。此外，美國還計劃邀集臺灣、日本及韓國共組晶片四方聯盟（Chip 4），預計8月底召開工作會議。
不過面對美國在半導體先進製程的圍堵，中共並未坐以待斃，甚至還計畫要「彎道超車」。楊瑞臨說明，美國在5G時代輸給中國，所以美國科技謀略是鎖定下一代的6G與AI，雖然上層的演算法與應用很關鍵，但底層的通訊晶片與運算晶片也是重中之重，若沒有這些晶片，要發展6G、AI就會跌跌撞撞。
他表示，從目前的發展藍圖來看，各國對6G的看法其實都差不多，不外乎就是更快速、更大容量、超低延遲、同時眾數連接等特點，而且還具備超安全、高信賴、超低功耗、自主性、可擴充性等性質。
他表示，這些6G重要技術相關的半導體，大約在10年以後都會慢慢投入市場，而且所有技術都不需要先進製程，只需要28奈米以下的成熟製程即可，甚至連14奈米可能都不需要。
他以日本的6G發展為例，量子電腦、量子通訊所需晶片，資料中心裡要用到的次世代晶片，甚至6G時代新興的「仿生AI」（Neuromorphic AI，或稱類神經晶片人工智慧運算）等，這些全部都不需要先進製程，「這就是中共希望彎道超車的其中一個方式」。
楊瑞臨表示，過去他常年都會赴歐洲各國進行學術交流，所到之處見到的所有黃種人幾乎都是中國人，發現他們早在2016年時，就把北大、清華等優秀人才投入仿生運算領域，甚至清華還結合了橫跨7個系所的研究計畫，可見得中共有多重視這方面的研究，反觀當時臺灣的仿生運算都還沒開始發展，美國也明顯落後。
不僅如此，2017年時，中國多所大學與國營企業，還與國際企業合作成立一家瑞士的仿生晶片製商SynSense（時識科技） ，該公司被全球最具權威的IT研究與顧問諮詢公司高德納（Gartner）評選為，全球仿生運算晶片開發的4家領導廠商之一。
「其實中國與歐洲在很多領域都有長期有合作，而且後面的股東、伙伴都是中國一等一的大學」，楊瑞臨表示，這只是其中之一的例子，其實在科技領域彎道超車、繞到部分，中共真的是不遺餘力。
他坦言，未來的6G、AI領域，中國的科技廠商若要用到先進製程，大概還是會面臨被美國管制的困境，而中方也肯定會轉為檯面下，以繞道方式取得晶片，所以這場由美國代表的自由世界市場陣營，與中國科技廠商之間的攻防戰，短期內應該很難看到結果，仍然要持續關注。
根據SEMI的統計，到2024年底，中國大陸將新建31座晶圓廠，全球最多，超越臺灣的19座，以及美國的12座。雖然中國的這31座新廠多為成熟製程（10奈米以上），對於領導廠商如臺積電、英特爾、三星的先進製程影響不大，但這種「廠海戰術」對於其他成熟製程的廠商，恐將造成巨大的壓力。
