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韓國三星電子（Samsung Electronics）一名離職部長，因涉嫌向中國晶片商長鑫存儲（CXMT）洩露半導體核心技術，日前在韓國法院一審判處有期徒刑7年，併科罰金2億韓元（約新台幣455.6萬元）。
韓國《朝鮮日報》報導，金姓前三星電子部長被控違反《產業技術保護法》等嫌疑，首爾中央地方法院19日對其判決有期徒刑7年、罰款2億韓元。另一名方姓合作企業員工，則被判處有期徒刑2年6個月。
檢方最初要求對金某量刑20年，方某有期徒刑10年，主因調查發現，金某2016年從三星電子離職，跳槽到長鑫存儲後，洩漏了半導體「沉積技術」及其他7個核心技術資料，並收受財務回報高達數百億韓元。
金某在2024年1月又涉嫌將三星電子18奈米DRAM記憶體晶片的技術資料，非法轉讓給長鑫存儲，被移交審判。判決指出，金某等人的罪行讓晶片核心技術的受害公司，研發成本付諸流水，對韓國產業競爭力也造成重大負面影響，三星電子損失恐達「天文數字」。
此外，美國商務部1月15日將禁令升級，限制25奈米以上設備出口到中國。根據集邦科技近日發布的最新報告指出，應材、科林研發等美系半導體設備商已對禁令做出回應，於2月中撤出在長鑫存儲北京及合肥廠的工程技術人員，預測將阻礙長鑫存儲製程升級的腳步。
富邦投顧分析，原先長鑫存儲2024年積極擴張LPDDR4X、DDR3市占率，韓系廠商也逐步減產相關產品線，但美國最新政策，使美國設備商不再替長鑫存儲提供設備校正與維修服務，預期限縮中國成熟DRAM的供給成長，台灣DRAM廠南亞科、華邦電應有望受惠。
